Диффузионная емкость p-n-перехода
Диффузионная емкость отражает перераспределение зарядов вблизи p-n-перехода и проявляется в основном при прямом смещении перехода.
Время жизни p-n-перехода
При объединении электрона с дыркой существенную роль играют центры рекомбинации, которым соответствуют разрешенные энергетические уровни, расположенные в глубине запрещенной зоны и способные захватить электроны - уровни ловушек.
Диффузия и рекомбинация зарядов в базе
Пусть неосновные носители заряда в полупроводнике в равновесном состоянии имеют равновесные концентрации pn0 и np0. Основные носители заряда распределяются т.о., чтобы компенсировать заряд неосновных (т.е. накапливаются там же, где неосновные).
Инжекция носителей зарядов
За счет снижения потенциального барьера при прямом смещении p-n-перехода происходит нагнетание носителей заряда через p-n-переход в область полупроводника, где они являются неосновными носителями.
Прямое включение p-n-перехода
Прямое включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения положительным потенциалом к области р, отрицательным - к области n. Напряженность внешнего электрического поля направлена противоположно напряженности внутреннего поля p-n-перехода.
Пробой p-n-перехода
С увеличением внешнего обратного напряжения растет напряженность электрического поля внутри p-n-перехода.
Зарядная емкость p-n-перехода
Изменение напряжения, приложенного к p-n-переходу, приводит к изменению величины зарядов ионов примесей слева и справа от границы перехода. Поэтому плоскостной переход можно рассматривать как систему, состоящую из двух плоскостей, имеющих одинаковые по величине и противоположные по знаку заряды, разделенных средой с диэлектрическими свойствами.
Обратное включение p-n-перехода
Обратное включение p-n-перехода осуществляется подачей внешнего напряжения Uобр положительным потенциалом к области n, отрицательным - к области р.
Свойства плоскостного ступенчатого несимметричного p-n-перехода
На практике наибольшее распространение получили p-n-структуры с неодинаковой концентрацией внесенных акцепторной Nа и донорной Nд примесей, т.е. с неодинаковой концентрацией основных носителей заряда в слоях рр » Nа и nn» Nд. Типичными являются структуры с Na >>Nд (рр >> nn ).
Электронно-дырочный переход
Работа большинства полупроводниковых приборов основана на процессах, происходящих в приконтактной области двух разнотипных полупроводников. Электронно-дырочным переходом (р-n-переходом) называют приконтактную область между двумя разнотипными полупроводниками.