Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора
Поскольку свойства p-n перехода меняются с изменением температуры окружающей среды, характеристики и параметры биполярного транзистора также зависят от температуры.
Схемы включения и характеристики биполярного транзистора
Так как биполярный транзистор по принципу действия является токораспределительным прибором, для него в качестве независимых переменных имеет смысл выбирать входной ток и выходное напряжение, а в качестве зависимых — выходной ток и входное напряжение.
Токораспределение в биполярном транзисторе
При прямом смещении эмиттерного перехода p-n-p транзистора в эмиттерно-базовой цепи протекает значительный ток, обусловленный переходом электронов из базы в эмиттер и дырок из эмиттера в базу.
Принцип действия биполярного транзистора
В зависимости от полярности напряжений на переходах транзистора различают четыре возможных режима его работы.
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор представляет собой трехслойный трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами.
Принцип действия и характеристики транзистора со встроенным каналом
В транзисторах со встроенным каналом проводимость возможна даже при нулевом управляющем напряжении. Влияние управляющего напряжения на характер электропроводности транзистора зависит от его знака.
Принцип действия МДП-транзистора с индуцированным n-каналом
Принцип действия МДП-транзистора основан на эффекте изменения характера электропроводности в материале полупроводника подложки на границе с диэлектриком под действием поперечного электрического поля управляющего напряжения.
Полевые транзисторы с изолированным затвором
Для повышения rВХ и уменьшения IВХ разработаны транзисторы в которых металлический затвор отделен от полупроводникового канала слоем диэлектрика (МДП-транзистор: структура — металл - диэлектрик - полупроводник).
Статические характеристики транзистора в схеме с общим истоком
Для схемы с общим истоком истоковый вывод транзистора является общим для цепей входного и выходного сигналов, поэтому семейство выходных характеристик транзистора будет представлять собой зависимость IC=¦(UСИ) при UЗИ = const (семейство стоковых характеристик).
Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом
С точки зрения теории электрических цепей транзистор может быть представлен четырехполюсником, имеющим два входных и два выходных зажима.
Принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n переходом
Управляющие свойства транзистора основаны на том, что геометрическая толщина токопроводящего канала сравнима с толщиной p-n перехода.
Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом
Конструктивно транзисторы с управляющим p-n переходом представляют собой двухслойную структуру с областью канала, имеющей два электрических вывода и областью затвора, имеющей один электрический вывод.
Униполярные (полевые) транзисторы
Термин униполярные подчеркивает, что проводимость тока в этих приборах осуществляется носителями одного знака. Конструктивно они представляют собой двухслойный трехэлектродный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на изменении интенсивности потока свободных носителей под действием поперечного электрического поля, созданного управляющим напряжением.