Для схемы с общим истоком истоковый вывод транзистора является общим для цепей входного и выходного сигналов, поэтому семейство выходных характеристик транзистора будет представлять собой зависимость IC=¦(UСИ) при UЗИ = const (семейство стоковых характеристик). Семейство переходных характеристик будет представлять собой зависимость IC=¦(UЗИ) при UСИ = const (семейство стоко-затворных характеристик).
На начальном участке I транзистор ведет себя как управляемое сопротивление с номиналом, определяемым величиной управляющего напряжения. Участок получил название зоны крутых или резистивных характеристик. При увеличении напряжения UСИ на границе участков I-II в области стока формируется горловина канала. Наступает динамическое равновесие между изменениями IС и UЗС. В результате IС на участке II, называемом участком пологих характеристик, остается практически неизменным. На участке III увеличение UСИ приводит к пробою p-n перехода, и IС резко увеличивается. Участок называется зоной пробоя (нерабочей).
Характерные параметры полевого транзистора:
1. А — IC0 — начальный ток стока;
2. B — UЗ0 — напряжение отсечки;
3. 
при UСИ = const — крутизна стоко-затворной характеристики полевого транзистора;
4. 
при UЗИ = const — выходное сопротивление, характеризует наклон выходных характеристик на участке II;
5. 
при UСИ = сonst — входное сопротивление транзистора;
6. 
— статический коэффициент усиления транзистора;
7. 
— максимально допустимое напряжение сток-исток;
8. 
— максимально допустимое напряжение затвор-исток.