Фототранзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, управление которыми производится по оптическому каналу. Фототранзистор отличается от обычного полупроводникового триода тем, что он выполняется в прозрачном корпусе, который пропускает световое излучение. Свет, падающий на переход коллектор-база фототранзистора (p-nпереход с отрицательным смещением), вызывает в базе фототок, который усиливается с коэффициентом усиления транзистора, что приводит к весьма большому току эмиттера.
Ток эмиттера фототранзистора определяется из следующего соотношения:
IЭ = (1 + hФ)×IФ, (2.5)
где hФ — коэффициент усиления транзистора по постоянному току;
IФ — фототок базы.