Опорные диоды (рис.3.4.) предназначены для использования в качестве источника опорного напряжения в различных элементах. В работе стабилитронов используются режим электрического пробоя при обратном смещении p-n-перехода. При ограниченном протекании тока через стабилитрон режим электрического пробоя может устанавливаться в течении десятков тысяч часов.
Нормальным режимом работы стабилитронов является работа при обратном напряжении, соответствующем электрическому пробою p-n-перехода (рис.3.5.). рабочим участком опорного диода является участок АВ.
В зависимости от назначения стабилитроны подразделяются на:
1. низковольтные ( напряжения £5В) ¾ используют туннельный механизм;
2. высоковольтные ( напряжения ³7В) ¾ используют лавинный механизм;
3. при напряжениях 5-7В механизм пробоя смешанный.
Основными параметрами полупроводникового стабилитрона являются:
1. Uст - напряжение стабилизации, т.е. падение напряжения на стабилитроне при протекании заданного тока стабилизации;
2. Imin - минимальный ток стабилизации (точка А на рис.3.5.);
3. Imax - максимальный ток стабилизации (точка В на рис.3.5., т.е. точка перехода электрического пробоя в тепловой).
4. 
- динамическое сопротивление стабилитрона, характеризует наклон вольт-амперной характеристики в режиме электрического пробоя;
5. 
- температурный коэффициент напряжения стабилизации. Величина этого коэффициента определяет качество стабилитрона.
При прямой полярности приложенного напряжения стабилитрон ведет себя как обычный диод.
Для стабилизации напряжений, меньших 3В, используют стабисторы, в которых p-n-переход работает в прямом направлении.