Закономерности движения носителей заряда
Основными причинами, вызывающими направленное движение тока, являются: напряженность электрического поля и неравномерность концентрации носителей.
Примесные полупроводники
Увеличение электропроводности примесных полупроводников получается введением в чистый полупроводник атомов соответствующих примесей и обусловлено появлением дополнительных носителей заряда. Атомы примеси замещают атомы основного полупроводника в узлах решетки и либо отдают свой электрон (донорные примеси), либо захватывают электрон (акцепторные примеси).
Законы распределения носителей зарядов в энергетических зонах
Энергетические уровни в разрешенных зонах полупроводников распределены неравномерно. В любой энергетической зоне энергетические уровни характеризуются определенной плотностью Ф(W), т.е. числом уровней, отнесенным к единице энергии и единице объема.
Проводимость чистых полупроводников
В качестве полупроводниковых материалов наибольшее распространение получили германий (Ge) и кремний (Si). К полупроводниковым материалам принято относить чистые монокристаллы (примесь не более 10-12 %), элементы 4-й группы периодической системы, имеющие на внешней электрической оболочке 4 валентных электрона.
Энергетическое состояние электрона в атоме и твердом теле
Физические и химические свойства твердых тел определяются энергией электронов атомов вещества. Согласно квантовой теории строения вещества, электрон в атоме может располагаться на вполне определенных (разрешенных) орбитах. Каждой орбите соответствует строго определенная энергия электрона (разрешенный энергетический уровень).
Проводники и полупроводники
В основе работы любого полупроводникового прибора лежит явление электропроводности твердых тел. Все существующие твердые тела можно разделить по удельной электропроводности на три класса: диэлектрики, проводники (металлы) и полупроводники, причем полупроводники занимают промежуточное положение между металлами и диэлектриками.