При объединении электрона с дыркой существенную роль играют центры рекомбинации, которым соответствуют разрешенные энергетические уровни, расположенные в глубине запрещенной зоны и способные захватить электроны - уровни ловушек (рис.2.11.). Центрами рекомбинации могут быть дефекты кристаллической решетки, атомы примесей. При участии ловушек процесс рекомбинации происходит в две стадии: электрон из зоны проводимости вначале переходит на уровень ловушки, а затем - в валентную зону или возвращается назад в зону проводимости. Такой процесс более вероятен, чем непосредственная рекомбинация. Многоступенчатость процесса рекомбинации сокращает время жизни в несколько раз.
Время жизни пары электрон-дырка зависит от концентрации примесей, температуры и наличия центров рекомбинации. Для повышения интенсивности рекомбинационных процессов (уменьшения времени жизни) в примесные полупроводники вводят в небольшом количестве золото или никель, которые представляют собой исключительно активные центры рекомбинации. В полупроводнике n-типа с ростом температуры все больше электронов попадает с уровней ловушек в зону проводимости, следовательно, время жизни растет. В полупроводнике р-типа с ростом температуры увеличивается число электронов, перешедших из валентной зоны на уровни ловушек, следовательно, время жизни растет.