Для повышения rВХ и уменьшения IВХ разработаны транзисторы в которых металлический затвор отделен от полупроводникового канала слоем диэлектрика (МДП-транзистор: структура — металл - диэлектрик - полупроводник). В качестве диэлектрика обычно используют окисел кремния SiO2, откуда второе название таких транзисторов — МОП-транзисторы (металл - окисел - полупроводник). Каждый из этих типов может иметь встроенный или индуцированный (появляющийся в процессе работы) канал.
