В таких транзисторах проводимость возможна даже при нулевом управляющем напряжении. Влияние управляющего напряжения на характер электропроводности транзистора зависит от его знака.
UЗИp-n перехода (канал-подложка) и ухудшению проводимости транзистора. При достижении управляющим напряжением значения UЗИ=UЗС, называемого напряжением отсечки, p-n переход полностью перекрывает канал, и ток IС прекращается.
При UЗИ>0 (режим обогащения) управляющее напряжение притягивает к приповерхностному слою электроны, ширина канала и электропроводность транзистора увеличивается.
При работе в обоих режимах в области стока формируется горловина канала, выходные характеристики имеют вид, аналогичный виду характеристик транзистора с индуцированным каналом. Максимальное значение управляющего напряжения и соответственно ток в канале транзистора ограничены электрической прочностью изолятора. Обычно величина управляющего напряжения не превышает десятков вольт. По МДП технологии выпускаются как маломощные (слаботочные) так и мощные транзисторы (с допустимыми токами канала 10…30 А). Вследствие высокого входного сопротивления МДП-транзисторы очень чувствительны к потенциалам статического электричества, что обуславливает специальные меры обращения с ними.
Основные эксплуатационные параметры:
1. IC max — максимальный ток стока;
2. UСИ max — максимальное напряжение сток-исток;
3. PC max — максимальная допустимая мощность в канале;
4. RВХ=
при UСИ = const — входное сопротивление транзистора;
5. rC=Ri=
при UЗИ = const — внутреннее сопротивление;
6. S=
при UСИ = const — крутизна стоко-затворной характеристики.