При прямом смещении эмиттерного перехода p-n-p транзистора в эмиттерно-базовой цепи протекает значительный ток, обусловленный переходом электронов из базы в эмиттер и дырок из эмиттера в базу.
Если геометрическая ширина базы больше диффузионной длины электрона (LД — расстояние свободного пробега электрона до рекомбинации), то в цепи коллектора ток протекать не будет. Изготовление базы с толщиной, сравнимой с диффузионной длиной электрона, приводит к тому, что на характер движения электрона в области базы начинает оказывать воздействие электрическое поле коллекторного перехода. Электроны в базе являются неосновными носителями, поэтому положительный потенциал коллектора способствует их притягиванию к коллекторному переходу и беспрепятственному переносу через область базы в область коллектора.
Ток через эмиттерный переход создает электронную и дырочную составляющие. Дырочная составляющая замыкается по цепи базы и не участвует в управлении током коллектора.
IЭ=IЭn+IЭp
Одним из важнейших показателей эмиттерного перехода является коэффициент инжекции, показывающий, какую часть от полного эмиттерного тока составляет его дырочная составляющая:
g=
.
Для определения части дырок, прошедшей из эмиттера в коллектор, вводят коэффициент переноса дырок в базе d, который равен отношению дырочной составляющей коллекторного дока к дырочной составляющей эмиттерного тока:
d=
.
Управляемые свойства транзистора характеризуются коэффициентом передачи эмиттерного тока:
a= g×d =
.
Ток коллектора состоит из дырочной составляющей IКpи теплового тока IК0 (IК=IКp+IК0). Ток базы равен алгебраической сумме электронной составляющей тока эмиттера IЭn, рекомбинационной дырочной составляющей IБp и теплового тока IК0 (IБ=IЭn+IБp–IК0).