Пусть неосновные носители заряда в полупроводнике в равновесном состоянии имеют равновесные концентрации pn0 и np0. Основные носители заряда распределяются т.о., чтобы компенсировать заряд неосновных (т.е. накапливаются там же, где неосновные). Процесс, связанный с движением и рекомбинацией неосновных носителей, происходит во времени и пространстве:
(2.20)
Диффузионная длина Lд - это расстояние от границы p-n-перехода, на котором избыточная концентрация носителей заряда, введенных тем или иным способом в полупроводник, уменьшается в е раз.
Время жизни t пары электрон-дырка - это время, за которое носители заряда пройдут расстояние, равное диффузионной длине.
Диффузионная длина и время жизни связаны между собой соотношением:
Lд = 
, (2.21)
где D - коэффициент диффузии (плотность потоков носителей заряда при единичном градиенте их концентрации).