За счет снижения потенциального барьера при прямом смещении p-n-перехода происходит нагнетание носителей заряда через p-n-переход в область полупроводника, где они являются неосновными носителями (рис.2.10.).
Процесс введения носителей зарядов, создающих избыточную (неравновесную) концентрацию в полупроводниковом слое, называется инжекцией. В рассматриваемом случае это инжекция дырок из области р в область n и инжекция электронов из области nв область р. Если начальная концентрация электронов области n намного меньше начальной концентрации дырок в области р (nn0 << pp0 в случае несимметричного p-n-перехода), то инжекция носит односторонний характер (инжекция дырок из области р в n).
Область, которая инжектирует носители заряда, называют эмиттером. Область, в которую инжектируются носители заряда, называют базой. В рассматриваемом случае эмиттером является область р, а базой - область n.
При наличии внешнего смещения перехода невозможно обеспечить электрическую нейтральность базы простым перераспределением зарядов базы. Для компенсации положительного заряда дырок, инжектируемых в базу, электроны поступают из внешней цепи. А т.к. заряды электронов и дырок одинаковы, то из внешней цепи в базу поступает столько электронов, сколько инжектировано дырок. Для обеспечения электрической нейтральности эмиттера во внешнюю цепь уходит такое же количество электронов. Процесс компенсации заряда дырок электронами внешней цепи называется релаксацией.