Основными причинами, вызывающими направленное движение тока, являются:
1. Напряженность электрического поля (внешнего или внутреннего) - формирует дрейфовый ток (дырочный и электронный).
2. Неравномерность концентрации носителей - формирует диффузионный ток (дырочный и электронный).
Диффузионный ток обусловлен свободным перемещением подвижных носителей внутри полупроводникового материала. Диффузия происходит из области с большей концентрацией в область с меньшей концентрацией носителей заряда. Т.о. в полупроводнике существуют 4 составляющие тока, характеризуемые своими плотностями.
(1.11)
Здесь mnи mр - коэффициенты, характеризующие подвижность электронов и дырок; Dnи Dp- коэффициенты диффузии электронов и дырок.
В процессе движения свободные носители встречаются в одном микрообъеме кристалла, что вызывает их рекомбинацию. Среднее время между процессами генерации и рекомбинации данного типа носителей называется временем жизни носителей заряда.
Время жизни носителей - параметр, определяющий быстродействие полупроводниковых приборов; его снижение позволяет увеличить их рабочую частоту.