Биполярный транзистор представляет собой трехслойный трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами. Центральная область структуры называется базой, а две крайние области имеют тип электропроводности, противоположный базе. Одна из них, предназначенная для внесения (эмиттирования или инжекции) носителей заряда в базу, называется эмиттером. Другая, предназначенная для сбора носителей заряда из базы, называется коллектором. Технологически области эмиттера и коллектора имеют разные геометрические размеры и не могут быть взаимно заменены в процессе эксплуатации транзистора. В случае, когда эмиттер и коллектор меняются местами, говорят об инверсном включении транзистора. База может быть выполнена из материала p или n-типа электропроводности. Таким образом, мы имеем два возможных типа биполярных транзисторов.
p-n переходы П1 и П2, отделяющие области эмиттера и коллектора от базы получили название эмиттерного и коллекторного соответственно. В обозначении транзистора стрелка на выводе эмиттера показывает истинное направление тока эмиттера, что однозначно определяет тип транзистора.