Принцип действия МДП-транзистора основан на эффекте изменения характера электропроводности в материале полупроводника подложки на границе с диэлектриком под действием поперечного электрического поля управляющего напряжения UЗИ. В транзисторе с n-каналом приложение к затвору напряжения отрицательной полярности относительно истока вызывает притяжение основных носителей области p(дырок) к приповерхностному с затвором слою. Толщина p-n перехода в области истока и стока увеличивается, и через транзистор протекает ток обратно смещенного p-n перехода (сток-подложка).
Приложение к затвору управляющего напряжения положительной полярности приводит к тому что дырки выталкиваются из приповерхностного слоя электрическим полем затвора. Неосновные носители области p(электроны) притягиваются к приповерхностному слою. При достижении управляющим напряжением некоторой величины, концентрации дырок и электронов в приповерхностном слое вначале сравниваются, а затем концентрация электронов начинает превышать концентрацию дырок. Возникает эффект инверсии характера электрической проводимости, на пути тока в цепи сток-исток формируется токопроводящий канал, так как пропадает p-n переход. Потенциалы затвора и стока имеют одинаковый знак относительно истока, поэтому |UЗИ|>|UЗС|. Таким образом, толщина канала в области стока минимальна. Аналогично, транзистору с управляющим p-n переходом, в области стока формируется горловина токопроводящего канала, что обуславливает нелинейный вид характеристик. Управляющее напряжение вызывает инверсию электропроводности, которая получила название порогового напряжения или напряжения формирования канала. Увеличение управляющего напряжения выше порогового приводит к расширению канала и улучшению проводимости транзистора.